稍早由Toshiba宣布，與Sandisk技術合作打造以BiCS設計的MLC 3D NAND Flash將實現48層堆疊層數，除超越先前的16層堆疊設計，也一舉超越三星現有3D V-NAND Flash的32層堆疊層數。而由美光 (Micron)與Intel合作同樣具32層堆疊層數的3D NAND Flash，則預期使最大容量進一步擴展，預期將可使M.2規格SSD容量達3.5TB，同時讓2.5吋SSD容量上看10TB。
根據稍早由Toshiba公布消息，確定旗下與Sandisk技術合作打造以BiCS設計的MLC 3D NAND Flash，將能進一步實現48層堆疊層數設計，並且藉此讓儲存容量達16GB (128Gb)，並且超越三星現有3D V-NAND Flash的32層堆疊層數。不過，Toshiba表示雖然目前已經準備將樣品提供給合作夥伴測試，但實際量產依然要位於日本四日市Fab 2廠完工後才能進行量產，因此預計將會在2016年上半年之後才會有實際應用產品問世。
而另一方面，由美光 (Micron)與Intel合作同樣具32層堆疊層數的3D NAND Flash，則預期使最大容量進一步擴展，預期將可使M.2規格SSD容量達3.5TB，同時讓2.5吋SSD容量上看10TB。依照Intel觀察，SSD產品技術將隨著摩爾定律持續成長，並且在容量、效能提昇之下，讓平均售價逐漸降低，進而能使PC有更快的存取效率，同時也有更大的儲存空間。
不過，雖然SSD技術持續成長，相較於傳統硬碟所提供資料儲存正確性，以及相對更為低價的儲存成本，SSD暫時還無法完全取代傳統硬碟，特別在於針對冷資料存放需求使用性，傳統硬碟依然有較好的應用優勢，但在平常存取效能表現部分，確實SSD會有較好的使用表現。
※相關連結》
‧Toshiba Develops World’s First 48-layer BiCS (Three Dimensional Stacked Structure Flash Memory) (Toshiba官方新聞稿)
‧Micron and Intel Unveil New 3D NAND Flash Memory (Intel官方新聞稿)
