Galaxy S9將可能率先採用速度更快的UFS 3.0儲存元件

固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D,另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A,其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範,可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款採用UFS 3.0儲存元件的產品,因此將可能應用在即將推出的Galaxy S9系列機種

三星在推出Galaxy S6系列時宣布導入存取速度更快的UFS 2.1儲存元件,因此在Galaxy S9系列採用傳輸效率更高的UFS 3.0儲存元件似乎不算意外。但無論是Qualcomm Snapdragon 845,或是三星Exynos 9810的說明並未特別提及是否支援UFS 3.0,因此不確定若Galaxy S9系列支援此規範設計的儲存元件,是否藉由額外控制元件管理資料存放,或是直接透過處理器管理。

由於UFS 3.0設計規範可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,配合UFS支援雙通道、雙向讀寫特性,因此資料傳輸頻寬最高可達23.2Gbps,對應每秒傳遞2.9GB資料量效果,對於存取資料越來越龐大,同時反應速度必須更快的智慧型手機發展,將有更好使用優勢。

另外,UFS 3.0規範也讓資料錯誤校正效率提昇,以2.5v電壓即可驅動,同時也支援新版NAND Flash設計,支援在攝氏零下40度至105度的極端溫度環境下正常使用,因此可應用在自動駕駛車輛或深度學習等進階需求。至於接腳部分則支援MIPI規範,其中接腳採MIPI M-PHY v4.1規範設計,而資料傳輸則依據MIPI UniProSM v1.8設計。

而UFS記憶卡1.1版本設計則加入相容HS-G1、HS-G2與HS-G3設計規範,而整體資料存取速度最高可達每秒1.5GB。

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