IBM稍早宣布已經順利試產其下首款2nm製程晶片，並且標榜在相同電力情況下，2nm製程晶片將比7nm製程產品提升45%運算效能，在相同效能表現則可節省高達75%電力損耗。
相較台積電採用的FinFET製程技術，或是三星採用光照技術，IBM採用以GAA環繞式結構設計的Nanosheet奈米片技術，每組電晶體均透過三層水平堆疊奈米等級矽片構成，約可在150平方公厘 (mm²)面積晶圓中放置500億組電晶體，亦即在每平方公厘可放置3.3億組組電晶體。
目前IBM是由位於紐約州奧爾巴尼的晶片製造研發中心進行試產，並且與三星、Intel簽署共同技術開發協議，因此三星、Intel可藉由IBM開發技術製造晶片產品。
依照說明，相比7nm製程的運算效能，2nm製程晶片在相同電力表現可提升45%運算效能，而在相同效能表現之下，2nm製程晶片更可減少高達75%電力損耗，意味應用在手機晶片上的話，將可讓目前使用的智慧型手機對應4天左右的電力使用時間，同時也讓更多運算裝置不必擔心電力損耗問題。
製程技術持續推進，IBM認為將能讓運算規模有大幅成長，其中包含量子運算領域應用，或是包含人工智慧、自動駕駛，或是目前在5G網路應用技術，甚至日後的6G網路發展。
而雖然目前宣布推進2nm製程，但畢竟仍處於試產階段，距離可大量生產可能還需要一點時間，IBM目前並未特別說明預計進入量產時程。
