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Intel、美光攜手非揮發性記憶體技術 帶動運算效率

Intel宣布與美光 (Micron)攜手合作,將透過3D XPoint技術使非揮發性記憶體 (NVRAM)速度提升至現有NAND Flash的1000倍,並且透過特殊複合材質與十字交叉架構設計,讓新記憶體技術設計儲存密度表現相比傳統記憶體高約10倍,預期將以此開創25年以來首款全新非揮發性記憶體類別,藉此帶動各類資料運算存取速度,進而提昇諸如機器學習、大數據分析、高達8K影像運算等應用。

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由Intel、美光攜手合作的全新3D XPoint技術,預期將使現有非揮發性記憶體產品相比1989年推行的NAND Flash提昇高達1000倍速度,除將成為非揮發性記憶體全新產品類別,同時預期將使耐用度提昇1000倍,儲存密度也相比傳統記憶體設計高出10倍。而在提昇非揮發性記憶體效能、密度表現,同時維持與成本、功耗等因素平衡最佳化之下,將能進一步強化資料儲存、效率應用優勢,藉此帶動諸如機器學習、大數據分析、高達8K影像運算等應用。

目前3D XPoint技術將採用交叉點陣列結構設計,透過垂直導體連結以1280億組高密度配置的記憶體儲存單元,藉此提供高效能與高密度的位元儲存空間。另外本身也將對應可堆疊特性,現階段每組晶粒能均可儲存128Gb,並且可堆疊成兩層的記憶體元件,而未來將進一步提高記憶體元件層數量,搭配傳統顯影電路微縮化發展,將能進一步提升儲存容量。

透過微型化的儲存單元設計,加上可快速切換的選擇器、低延遲交叉結構陣列,以及快速寫入演算法,將可讓儲存單元能更快效率切換運作狀態,進而使全新類別的非揮發性記憶體相比現行產品有更高速度表現。

3D XPoint技術預計將在今年稍後針對特定客戶開始送樣,同時Intel、美光也正著手開發內含3D XPoint技術的產品項目。

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楊又肇 (Mash Yang)
mashdigi.com網站創辦人兼主筆,同時也是科技新聞業學習者。

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