今年成功推行採用三星14nm FinFET製程技術的Smnapdragon 820、821處理器之後，Qualcomm確認下一款旗艦級處理器名稱就是Snapdragon 835，同時也確認將採用三星近期揭曉的10nm FinFET技術量產。
跳過日前市場猜測的830編號，Qualcomm確認下一款旗艦級處理器名稱將是Snapdragon 835，同時也將採用三星10nm FinFET技術量產，預計將在2017年上半年進入量產。
不過，Qualcomm並未透露Snapdragon 835處理器採用處理器架構與GPU等細節，但若以目前Qualcomm市場布局來看的話，有可能仍維持使用Kryo自主架構設計，而通訊規格則預期整合X16 LTE Modem，將可藉由4 x 20MHz頻寬、256-QAM、2組以上載波聚合等技術規格構成最高1Gbps下載速度。
若Snapdragon 835預計在2017年上半年才準備進入量產，預期會影響明年多家手機廠商旗艦機種推行時間，或是可能造成許多旗艦機種延續使用Snapdragon 821處理器的情況，除非Qualcomm額外在Snapdragon 835推行之前，額外加入新款高階處理器。
而就先前三星說明，在今年10月開始投入量產的10nm FinFET製程技術，相比14nm FinFET製程技術將可讓處理器面積縮減30%，並且在相同電壓之下增加27%效能，同時降低40%電力損耗。
除了三星宣布進入10nm FinFET製程技術，先前包含台積電、Intel也計畫在10nm FinFET製程技術競爭，若沒意外的話，Qualcomm Snapdragon 835處理器將會第一款採用10nm FinFET製程技術生產的高效能處理器產品。
公布Snapdragon 835名稱之餘，Qualcomm也同步確認Quick Charge 4.0電池快充技術細節，提供5分鐘內即可充入延長5小時使用時間電力效果。
