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三星新半導體晶片研發中心於南韓動土,預計推動晶片設計與先進製程發展
將在2028年以前投入20兆韓元

三星宣布,位於韓國京畿道龍仁市器興園區的新半導體晶片研發中心正式動土,同時將在2028年以前投入20兆韓元推動先進製程技術發展。

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而近期正式獲得南韓總統特赦,再次重掌三星集團的三星副會長李在鎔,稍早與100多名三星主管一同參與此次破土典禮。

選在器興園區建立新半導體晶片研發中心,顯然對三星別具意義,因為這裡是三星在40多年前開始製造生產其半導體晶片產品的地方,並且從1992年開始加入生產64MB動態記憶體 (DRAM)。

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新半導體晶片研發中心約佔地10.9萬平方公尺,將投入晶片設計、推動晶片代工技術與儲存元件等半導體業務發展,預計在2025年正式啟用。

至於此次宣布半導體晶片研發中心正式動土,更代表三星持續強化自身半導體晶片技術發展決心,並且計畫在先進製程技術發展與台積電等業者加強競爭能力。

楊又肇 (Mash Yang)
mashdigi.com網站創辦人兼主筆,同時也是科技新聞業流浪漢。

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