在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量後,三星似乎也計畫讓更多手機也能享有大容量,稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術為基礎,同時最高儲存容量達128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件,並且對應每秒達260MB讀取速度表現,預期將使中階規格以下手機產品,以及多數記憶卡產品能在成本預算內有更大儲存容量選擇。
根據三星公布消息,預計將推出以eMMC 5.0技術為基礎,同時最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存元件,同時讀取速度表現將達每秒達260MB。雖然整體不比搭載於Galaxy S6系列機種的UFS規格有更高存取效能,但此次推出的新款NAND Flash儲存元件提供在成本預算內有更大儲存容量選擇,並且保有一定存取效能的使用特性。
目前三星並未說明此項產品將在何時供貨,但預期未來將使中階規格以下手機產品,以及多數記憶卡產品能在成本預算內有更大儲存容量選擇。
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