ARM宣布與台積電攜手合作的10nm FinFET製程、64位元ARMv8-A架構測試晶片 (亦即代號Artemis的新款高階處理器)已經正式問世，預期未來將會應用在聯發科新款高階處理器Helio X30。而相較先前16nm FinFET製程技術，台積電表示10nm FinFET技術將提昇2.1倍電晶體密度，同時在相同額定電壓或相同工作時脈降低30%電功耗表現，亦即在相同電功耗約可提昇10-12%效能表現。
根據ARM稍早公布消息，確定與台積電攜手合作的10nm FinFET製程，並且以64位元ARMv8-A架構設計的測試晶片正式問世，預期就是日前公布代號Artemis的高階處理器產品，同時估計相關細節將會在今年Computex 2016期間做更完整說明。
而根據台積電方面說明，10nm FinFET技術將可在相同面積提昇2.1倍電晶體密度，以相同額定電壓或相同工作時脈運作時，約可降低30%電功耗表現，而若以相同電功耗計算的話，約可提昇10-12%效能表現。
至於首波合作夥伴應該仍以聯發科為主，估計將會應用在新款高階處理器Helio X30，在今年Computex 2016期間預期也會有相關說明。
