三星宣布打造最高可對應256GBps傳輸速度表現的4GB容量HBM2記憶體模組，預期將可應用在Nvidia、AMD接下來準備推出應用HBM2記憶體技術的全新顯示卡產品，另外也計畫在今年年底推出8GB容量規格。
根據三星表示，去年宣布推出128GB 3D TSV DDR4記憶體模組之後，目前也成功推出最高可對應256GBps傳輸速度表現的4GB容量HBM2記憶體模組，相比現有GDDR 5記憶體模組能以更小體積封裝，讓裝置可同時安裝更多記憶體模組運作。
以目前已經可量產4層8gb核心的4GB模組情況來看，三星預計最快將可在今年年底推出8層8gb的8GB模組，藉此讓顯示卡能有更充裕的顯示記憶體容量可用於顯示資料緩衝等用途，除可應用在即將更新的顯示卡產品，此類記憶體模組亦可用於鎖定專業繪圖使用的繪圖卡產品。
