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台積電說明A14製程將於2028年生產、以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制
持續推動人工智慧、車用技術與次世代顯示技術,擴大全球供應鏈與美國投資

撰文: 楊又肇 (Mash Yang)
2025-05-15
in 市場動態, 處理器, 頭條話題
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台積電稍早於新竹舉辦的2025年技術論壇說明,目前手機、PC、物聯網裝置與汽車產業的自駕技術需求推動其N4/N3及N6RF製程技術成長,而因應人工智慧技術發展帶動的資料中心擴建也推動5nm、3nm製程設計應用,並且加速台積電的CoWoS先進封装與SoIC高密度3D小晶片堆疊封装技術發展,更預告其A14製程技術帶動更高運算力與更高能源效率,藉此推動智慧型手機等裝置端的人工智慧應用成長。

台積電說明A14製程將於2028年生產、以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制
▲台積電於新竹舉辦2025年技術論壇

A14製程將於2028年生產、搭載超級電軌技術版本預計在2029年推出

在相關預測中,台積電認為半導體市場產值將在2030年達到1兆美元規模,其中HPC高效能運算約佔45%,手機佔約25%,汽車則佔15%,物聯網應用佔比達10%。

而接下來預計推進,並且採用NanoFlex Pro技術的A14製程,對比N2製程可在相同功耗提升15%執行效能,在相同效能下可讓電耗下降30%,同時也讓電路邏輯密度增加超過20%,預計會在2028年開始生產,搭載超級電軌技術 (Super Power Rail, SPR)的供電設計版本則預計在2029年推出。

台積電說明A14製程將於2028年生產、以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制
▲台積電資深副總經理暨副共同營運長張曉強

另外,台積電也說明針對訊號路由與供電要求更嚴苛的資料中心、AI/HPC產品提供,並且採用背面供電技術與電路邏輯密度最佳化設計的A16製程,將會在2026年下半年量產。

至於N2 (2nm)製程依然會在2025年下半年進入量產,而N2製程第二年的新設計定案數量將比同期的N5增加4倍。至於N2P製程則會在2026年下半年進入量產,相比N3E製程技術將可在相同功耗使執行效能提升18%,在相同執行效能則能使功耗減少36%,並且在電路邏輯密度增加1.2倍,而N2X製程則預計在2027年進入量產,將使晶片最高運作時脈提升10%。

N3 (3nm)製程部分,目前已經成為高產量與長期生產技術,截至今年4月已經有超過70種新設計定案問世,其中N3E製程已經廣泛用於旗艦行動處理器,以及AI/HPC產品,N3P製程則已經在去年第四季進入量產,另外也推出可讓處理器性能提升的N3X製程、提高成本效益的N3C製程,以及針對汽車產業提供、目前正在進行最終缺陷改善,預計可獲得AEC-Q100一級認證的N3A製程,預計會在今年稍晚時候進入量產,藉此推動更多自動駕駛與輔助駕駛技術應用發展。

將以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制

其他部分,台積電也提出包含可對應在緊湊尺寸設計提高執行效能且降低功耗需求的互補式場效電晶體 (CFET)設計,其中透過nFET與pFET垂直堆疊實現將近2倍的電晶體密度,另外也在2D材料電晶體設計提出更薄的電晶體通道,以及在類似N2製程技術的堆疊電晶體架構採用單層通道的電路設計。

台積電更說明,用於N3-on-N4堆疊、間距為6μm的SoIC技術將於2025年進入量產,而於A14-on-N2堆疊的下一世代SoIC技術則預計在2029年就緒。至於在CoWoS封装技術部分,台積電預計在2026年推出5.5背光罩尺寸的CoWoS-L技術,同時也將過9.5倍光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制,藉此整合更多小晶片與記憶體堆疊 (約可整合超過12個HBM高頻寬記憶體),預計會在2027年進入量產。

系統級晶圓 (TSMC-SoW)技術方面,預計在2027年開始量產SoW-X技術,讓結合CoWoS設計與晶圓尺寸的系統可發揮更高運算力,對比現行CoWoS設計約可提升40倍。

台積電說明A14製程將於2028年生產、以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制
▲台積電先進技術暨光罩工程副總經理張宗生

推動人工智慧、車用技術與次世代顯示技術

在人工智慧技術與特殊製程設計,台積電已經推出以N12製程為基礎的業界首款HBM基礎裸晶設計,預計在今年推出使用N3製程版本,同時也將持續發展矽光子 (SiPh)與SoIC技術,藉此實現更高傳輸頻寬與低功耗表現,並且以整合式電壓調節器 (IVR)提升電力供應效率。

車用技術方面,台積電導入高動態範圍的影像感測器與先進16FFC射頻製程,加強自駕與輔助駕駛功能。此外,台積電也持續推進RRAM與MRAM技術的車用化,並且計畫將其製程縮小至5nm與6nm。而在物聯網與邊緣應用部分則投入開發N4e與新一代N4C RF技術,後者相比前一代產品降低約30%功耗與佔用面積,更支援Wi-Fi 8、人工智慧音訊設備,預計2026年第一季進入試產。

在次世代顯示技術,台積電推出業界首款FinFET高壓平台,可應用於可折疊OLED與AR裝置,並且能使電路邏輯密度提升41%,並且降低約28%功耗。

台積電說明A14製程將於2028年生產、以更大光罩尺寸突破現行CoWoS技術限制
▲台積電亞洲業務處長萬睿洋

擴大全球供應鏈與美國投資、目標2050年實現淨零碳排

台積電預計2025年的人工智慧晶圓出貨量,將是2021年的12倍,預計持續擴充先進封裝產能,讓SoIC與CoWoS封裝技術的年複合成長率分別超過100%與80%。同時在未來一年內,台積電計畫啟用9座新產能設施,其中包括位於台灣的6座晶圓廠,以及在美國、日本與德國新廠,藉此在全球地區擴展其供應鏈範圍。

另外,台積電將在美國總投資擴大至1650億美元,包含建置6座晶圓廠、2座封裝廠及研發中心,進一步強化其全球戰略佈局。

至於在企業社會責任與永續發展部分,台積電承諾於2040年取得RE100認證,將導入百分百的再生能源運作,並且目標於2050年實現淨零碳排。透過再生能源導入、節能設備與碳捕捉技術,台積電表示將積極推動環保與能源效率雙軌並進。

Tags: A14CoWoSTSMC台積電
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楊又肇 (Mash Yang)

楊又肇 (Mash Yang)

mashdigi.com網站創辦人兼主筆,同時也是科技新聞業學習者。

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