在此次Snapdragon Tech Summit 2024最後議程裡，Qualcomm一樣安排旗下運算平台產品性能測試環節，其中說明在此次活動公布實際應用於市售筆電機種的Snapdragon X Elite運算平台，對比Intel、AMD在IFA 2024期間公布應用其處理器的上市機種實際性能表現落差，強調其運算平台依然站穩真實應用場景性能表現。
另一方面，Qualcomm也實際以應用此次揭曉Snapdragon 8 Elite行動運算平台的工程機，以異種對比形式標榜能在實際性能領先Intel、AMD用於筆電機種的表現。
強調Snapdragon X Elite運算平台在不插電、純裝置內建電池電力運作的表現依然優異
雖然在今年IFA 2024期間，Qualcomm就已經公布對比Intel、AMD，甚至蘋果的處理器實際應用性能表現數據，但在此次Snapdragon Tech Summit 2024活動依然針對Intel等業者提出對比數據進行驗證。
在相關測試環節中，Qualcomm實際以筆電品牌業者Dell、三星以相同機型，分別搭載Snapdragon X Elite (X1E-80-100)與Intel的Core Ultra 7 256V處理器情況下進行測試比對。
其中，在SPECrate2017 Base測試環節，在測試裝置都連接充電器情況下，透過單次測試實際得出成績相差不大，但在經過多次運作測試情況下所得到結果就會出現明顯差異，顯示Intel在處理器設計的溫度保護限制較大，反觀Qualcomm處理器仍可維持明顯較高性能輸出。
而在SPECrate2017測試數據結果中，同時也能看見在相同電力瓦數下的性能表現，Snapdragon X Elite (X1E-80-100)高於Core Ultra 7 256V約有52%，在相同性能輸出情況下的耗電量則減少41%。
不過，Qualcomm提出數據與Intel先前公布比較結果有顯著差異，其實在於Qualcomm在Snapdragon X Elite首波應用產品推出後，持續與微軟進行多次調整更新，加上更多性能評測軟體也陸續加入支援Qualcomm新款處理器，因此也讓性能量測數據有不同結果，而Qualcomm也表示相關結果更貼近真實使用體驗。
就相關調整之後，Qualcomm表示即便Core Ultra 7 256V在單核性能輸出曲線與Snapdragon X Elite (X1E-84-100)相同，但兩者之間仍有10%左右的相同瓦數輸出性能差異，甚至Core Ultra 7 256V在多核性能輸出表現，必須耗費更多電力才能達成與Snapdragon X Elite (X1E-84-100)相同結果。
此外，Qualcomm也指出Intel在數據比較部分，並非以同級產品進行比對。例如在單核心性能表現數據，Intel實際是以性能定位更高的Core Ultra 7 288V，與規格定位並非較高的Snapdragon X Elite (X1E-80-100)作比較，若加入規格定位較高的Snapdragon X Elite (X1E-84-100)，在Cinebench R24單核心測試與Geekbench 6單核心測試就會有完全不同結果。
至於以相同Dell XPS 13機身設計比較之下，Snapdragon X Elite (X1E-80-100)在Cinebench R24的峰值多核心性能測試結果，比起Core Ultra 7 256V高出92%。
在以電池平衡模式運作情況下進行各類測試，Qualcomm更強調Core Ultra 7 256V在所有測試結果都出現明顯的性能落差，反觀Snapdragon X Elite (X1E-80-100)幾乎沒有太大改變，甚至在Geekbench或Cinebench的單核心、多核心測試結果都維持與插電時相近的性能表現。
Qualcomm更直指在相同機身設計的筆電以最佳電池節能模式運作時，Snapdragon X Elite (X1E-80-100)幾乎可對應長達28.7小時電力續航時間，而Core Ultra 7 256V則僅能達24.2小時。而在以Procyon AI進行NPU執行人工智慧運算的性能測試時，Qualcomm處理器在架構設計也有明顯優勢。
Snapdragon 8 Elite在性能輸出有更高穩定性，甚至能以異種對比方式與筆電機種「較勁」
在另一個測試環節中，Qualcomm也以採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機提供比較。由於先前Qualcomm已經公布具體性能測試數據，因此筆者在時間有限情況下，主要聚焦在以3DMark進行較多人經常在手機遊玩遊戲的使用體驗測試。
其中以3DMark Wild Life Extreme進行20次的連續壓力測試，可以發現平均畫面顯示幀率平均仍可維持在30fps上下，而單次顯示性能在經歷20次連續壓力測試後的表現衰退走勢相對平緩，大致維持在66%左右的穩定度表現，不會像先前搭載Snapdragon 8 Gen 3的市售機種會有明顯落差，意味整體性能可在使用過程維持穩定輸出。
值得一提的是，相比去年以搭載Snapdragon 8 Gen 3的參考設計手機進行壓力測試，機身會產生難以持握的熱度，但在此次採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機在幾輪性能測試之後，依然維持可接受熱度，亦即單手持握不致於燙手的情況，顯示此次運算平台的安全溫度控制在較低範圍，但依然能對應更高性能輸出表現。
至於在與採用Snapdragon X Elite (X1E-80-100)、Core Ultra 7 256V，以及AMD的Ryzen AI 9 HX370應用筆電進行異種對比結果中，採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機在單核心性能明顯領先，主要在於本身在第二代自主架構Oryon CPU採用運作時脈更高的主核設計，而在多核心性能比較依然是由Snapdragon X Elite (X1E-80-100)以12組核心設計較為有利。
而無論是Core Ultra 7 256V或Ryzen AI 9 HX370，都會在以電池平衡模式下以節電狀態運作，因此也使整體性能大幅降低，但Snapdragon X Elite (X1E-80-100)或Snapdragon 8 Elite幾乎都不受是否插電影響，均可維持幾乎一致的性能輸出。
