相關消息指出，三星目前已經著手測試新款自有處理器Exynos 8895，預期將採用10nm FinFET製程技術，同時運作時脈將可上達4GHz。在競爭對手方面，目前Qualcomm預計在明年推出新款Snapdragon 830處理器，而聯發科日前也透露Helio X30將在明年第一季內問世，至於蘋果也將由台積電以10nm FinFET技術生產A10X處理器。
在今年各廠商先後以14nm FinFET或16nm FinFET製程技術打造處理器產品後，預期包含三星、Qualcomm、聯發科與Intel都將在2017年進駐10nm FinFET製程技術。
相關消息表示，三星在今年以14nm FinFET技術推出自有處理器Exynos 8890之後，預期將在2017年內推出採用10nm FinFET製程技術的Exynos 8895，目前已經開始進入測試階段，最快將可用在明年準備推出的旗艦機種Galaxy S8。
而在細節部分，預期Exynos 8895運作時脈將可達4GHz，同時因為製程技術精進而將使平均耗電量進一步降低。至於處理器大核核心部分，仍預期採用三星自主架構「Mongoose (狐獴)」。
至於在其他競爭對手方面，Qualcomm與聯發科日前已經透露將在2017年推行10nm FinFET製程處理器，估計新款Snapdragon 830、Helio X30都會在2017年第一季內推出，但目前暫時未有具體細節。
Intel方面原本計畫在2016年間推出10nm製程技術生產的「Cannon lake」處理器，但因為技術等因素而將推出時程延後至2017年下半年，現行「Kabylake」處理器則維持與「Skylake」處理器相同的14nm FinFET製程技術。
