Tag: Helio X30

預計用於Galaxy S10 三星新款處理器Exynos 9820將導入ARM DynamIQ架構

預計用於Galaxy S10 三星新款處理器Exynos 9820將導入ARM DynamIQ架構

相關消息透露三星接下來準備推出的新款高階處理器Exynos 9820,預期將會用在明年計畫推出的新款旗艦手機Galaxy S10,同時也透露新款處理器預期採用ARM DynamIQ架構設計,並且以「2+2+4」三叢集形式打造。 雖然三星計畫將在紐約布魯克林舉辦的Unpacked發表會揭曉新款Galaxy Note 9,但硬體規格預期仍採用今年用於Galaxy S9系列的Exynos 9810,或是Qualcomm Snapdragon 845,因此下一款高階處理器Exynos 9820最快將會應用在明年計畫推出的旗艦手機Galaxy S10。 而就過去經常透露不少處理器規格資訊的冰宇宙於微博、Twitter透露消息,指出Exynos 9820將會採用ARM DynamIQ架構設計,並且將以「2+2+4」三叢集形式打造,其中兩組大核將採用三星第四代自主架構「M4」,第二道兩組大核則以ARM Cortex-A75構成 (但也可能以Cortex-A76取代),而小核部分則將以4組ARM Cortex-A55構成。 相比之下,今年用在Galaxy S9的Exynos 9810則是以4組三星第三代自主架構「M3」,搭配4組ARM Cortex-A55構成「4+4」核心配置。 若三星確定在Exynos 9820採用ARM DynamIQ架構設計,意味將形成與聯發科用於Helio X20或Helio X30相同的三叢集架構設計,只是藉由DynamIQ架構設計將能有更具彈性的大小核心運作切換表現。 不過,即便三星日前已經傳出準備自行投入GPU設計,但目前似乎僅會先用於入門款Exynos處理器,因此預計用在Galaxy S10的Exynos ...

聯發科Helio X30開始量產,第二季陸續用於商用產品

聯發科Helio X30開始量產,第二季陸續用於商用產品

去年宣布推出的Helio X30處理器,聯發科宣佈將正式進入商用量產,並且將以全新十核心架構對應高效能、低功耗且具快速連結能力的使用體驗。 聯發科Helio X30最快將在第二季內應用在商用產品,其中採用全新十核與三叢集運算核心架構,並且率先採用台積電10mm FinFET製程技術,相比先前推出的Helio X20可在效能大幅提升35%、功耗降低50%。 Helio X30主要特點包如下: 10nm製程、10核、三叢集架構,採用2顆ARM Cortex-A73 (2.5GHz)、4顆ARM Cortex-A53 (2.2GHz)核心,以及4顆ARM Cortex-A35 (1.9GHz)核心。  LTE全球全模Cat.10數據機,支援下行三載波聚合(3CA)和上行雙載波聚合(2CA)。  採用Imagination PowerVR Series7XT Plus GPU,主頻達800MHz。相比Helio X20採用GPU,功耗降低達60%、性能提升2.4倍。  支援4K2K 10-bit HDR10 影片硬體解碼功能,以及在輕薄智慧型手機身上實現2倍光學變焦。  採用新版的CorePilot 4.0技術與三叢集架構,可在多個核心之間實現運算資源的最佳化配置,為工作任務分配合適的電量,達成高效能及省電目的。  支援目前市面上主要已可實現產品商用化的虛擬實境(VR)軟體開發套件(SDK),內建2顆14位元影像訊號處理器 (Image ...

聯發科揭曉Helio P15 補足大量生產機種使用需求

聯發科揭曉Helio P15 補足大量生產機種使用需求

日前隨著Helio X30揭曉新款中階旗艦處理器Helio P25之後,聯發科稍早宣布推出採用ARM Cortex-A53架構設計的Helio P15,基本上可視為Helio P10升級版本,並且維持採用台積電28nm HPC+製程技術生產。 此次公布的Helio P15處理器,基本上就是先前推出的Helio P10升級版,主要配合先前公布的Helio P25做調整,藉此讓聯發科主力款處理器產品全面升級。在此之前,聯發科已經分別揭曉旗艦款處理器Heio X30,以及中階旗艦規格處理器Helio P25,預期將以Helio P15補齊大量生產機種使用需求。 Helio P15本身以ARM Cortex-A53組成八核心架構設計,處理器運作時脈則將提昇至2.2GHz,並且搭載時脈自700MHz提昇至800MHz的Mali-T860 MP2 GPU,製程技術則維持採用台積電28nm HPC+規格。 相比Helio P10的話,Helio P15將提昇10%效能,但支援記憶體規格預期仍僅維持單通道LPDDR3-933設計,而連網通訊規格部分則支援LTE Cat.6。 目前聯發科暫時未公布太多Helio P15具體細節,但預期將會在近期內應用在市售產品,不少看法仍認為預計下週揭曉的小米5c將採用此款處理器,但也有說法認為小米將採用旗下首款自主架構設計的松果處理器。

Qualcomm Snapdragon 830開始對外送樣測試 代號採用MSM8998

Qualcomm Snapdragon 830開始對外送樣測試 代號採用MSM8998

今年陸續推出Snapdragon 820、Snapdragon 821兩款高階處理器之後,Qualcomm目前可能開始向合作夥伴提供下一款高階處理器Snapdragon 830測試樣品,同時將以MSM8998作為產品代號。 從印度報關文件內容顯示,Qualcomm已經在10月初開始向合作夥伴提供新款高階處理器Snapdragon 830測試樣品,同時確認產品代號為MSM8998,預期最快將會在年底前公布相關資訊,並且預計在明年初開始供貨。 預期Snapdragon 830仍將以三星旗下製程技術進行量產,並且準備在2017年上半年與三星Exynos 8895,以及聯發科以台積電製程技術生產的Helio X30抗衡。而在架構設計部分,Snapdragon 830可能仍維持自主架構設計的四核心設計,並非如市場預期採用4+4核心設計,製程技術則育才採用10nm FinFET規格。 不過,相較去年Qualcomm以相當久時間介紹Snapdragon 820各項特色,今年並未大舉說明即將在明年到來的新款處理器細節。

Helio X30正式揭曉 聯發科同步推出新款中階旗艦處理器Helio P25

Helio X30正式揭曉 聯發科同步推出新款中階旗艦處理器Helio P25

先前已經確認採用台積電10nm製程技術的聯發科新款10核心處理器Helio X30,稍早已在中國地區正式揭曉,同時確認搭載ARM今年在Computex 2016揭曉的Cortex-A73處理器架構,並且將運作時脈設定在2.8GHz,另外也搭配運作時脈為2.2GHz的Cortex-A53,以及運作時脈為2.0GHz的Cortex-A35,標榜相比去年推出的Helio X20提昇43%效能,而電力則節省58%。另一方面,針對中階旗艦機種使用需情,聯發科也同步揭曉新款Helio P25處理器,將延續今年2月公布的Helio P20設計,但暫時未公布具體細節。 ▲(圖/擷自微博帳號天涯一線謙) 導入ARM Cortex-A73、改用PowerVR 7XT系列GPU 聯發科稍早於中國宣布新款旗艦處理器Helio X30推出消息,如先前透露說法確定採用台積電10nm製程技術製作,預計將在2017年第一季內應用在商用產品,而架構設計則確定採用ARM在今年Computex 2016揭曉的全新處理器架構Cortex-A73,運作時脈則設定在2.8GHz,此外也搭配運作時脈為2.2GHz的Cortex-A53,以及運作時脈為2.0GHz的Cortex-A35,構成「2+4+4」三叢集運算核心。 根據聯發科的說法,Helio X30相比去年推出的Helio X20將在運算效能提昇43%,電力則節省約58%。此外,聯發科也確定在Helio X30改用Imagination Technologies旗下PowerVR 7XT系列GPU,藉此提昇處理器圖像運算能力,相比Helio X20約提昇2.4倍顯示效能,並且對應最高WQXGA (2560x1600)顯示解析度輸出,內建雙ISP將支援解像力最高達2800萬畫素的相機模組,對應4K x 2K @ 30fps動態影片錄製、解碼播放,記憶體部分則可對應4 x 16bit LPDDR4 (最高8GB容量)規格,儲存元件則支援eMMC 5.1或UFS ...

三星傳測試10nm製程Exynos 8895、明年第一季推出

相關消息指出,三星目前已經著手測試新款自有處理器Exynos 8895,預期將採用10nm FinFET製程技術,同時運作時脈將可上達4GHz。在競爭對手方面,目前Qualcomm預計在明年推出新款Snapdragon 830處理器,而聯發科日前也透露Helio X30將在明年第一季內問世,至於蘋果也將由台積電以10nm FinFET技術生產A10X處理器。 在今年各廠商先後以14nm FinFET或16nm FinFET製程技術打造處理器產品後,預期包含三星、Qualcomm、聯發科與Intel都將在2017年進駐10nm FinFET製程技術。 相關消息表示,三星在今年以14nm FinFET技術推出自有處理器Exynos 8890之後,預期將在2017年內推出採用10nm FinFET製程技術的Exynos 8895,目前已經開始進入測試階段,最快將可用在明年準備推出的旗艦機種Galaxy S8。 而在細節部分,預期Exynos 8895運作時脈將可達4GHz,同時因為製程技術精進而將使平均耗電量進一步降低。至於處理器大核核心部分,仍預期採用三星自主架構「Mongoose (狐獴)」。 至於在其他競爭對手方面,Qualcomm與聯發科日前已經透露將在2017年推行10nm FinFET製程處理器,估計新款Snapdragon 830、Helio X30都會在2017年第一季內推出,但目前暫時未有具體細節。 Intel方面原本計畫在2016年間推出10nm製程技術生產的「Cannon lake」處理器,但因為技術等因素而將推出時程延後至2017年下半年,現行「Kabylake」處理器則維持與「Skylake」處理器相同的14nm FinFET製程技術。

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